一種半導(dǎo)體器件及電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921451962.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214336720U 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN214336720U 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黎子蘭 申請（專利權(quán)）人 廣東致能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 武成國
地址 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)長嶺路30號19棟139房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開內(nèi)容提供一種半導(dǎo)體器件，所述器件包括襯底；在所述襯底上形成的第一半導(dǎo)體層；在所述第一半導(dǎo)體層的上形成的第二半導(dǎo)體層；第一半導(dǎo)體層具有比第二半導(dǎo)體層更小的禁帶寬度；在所述第一或第二半導(dǎo)體層上形成的第一電極和第三電極，在所述第二半導(dǎo)體層上形成的第二電極，在第二電極下方具有第三半導(dǎo)體層，所述第三半導(dǎo)體層為P?型第三半導(dǎo)體層。本公開內(nèi)容的方案至少能有助于實(shí)現(xiàn)如下效果之一：減小柵極漏電流，具有高閾值電壓、高功率、高可靠性，能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻和器件的常關(guān)狀態(tài)，能夠提供穩(wěn)定的閾值電壓，從而使得半導(dǎo)體器件具有良好的開關(guān)特性，在使用中更安全。