一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010824843.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113140628A 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN113140628A 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01L29/778;H01L29/423;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黎子蘭;張樹昕 申請（專利權(quán)）人 廣東致能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京威禾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 沈超
地址 510530 廣東省廣州市黃埔區(qū)長嶺路30號19棟139房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，包括：第一溝道層，其包括第一溝道區(qū)、第一柵摻雜區(qū)、和第二溝道區(qū)，其中所述第二溝道區(qū)在所述第一溝道區(qū)之上，所述第一柵摻雜區(qū)在所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)之間；第一勢壘層，其中在第一溝道層與第一勢壘層之間形成具有垂直界面的第一異質(zhì)結(jié)，在所述第一異質(zhì)結(jié)內(nèi)形成垂直的2DEG或2DHG；第一電極，其在所述第一柵摻雜區(qū)下方與所述第一異質(zhì)結(jié)內(nèi)的2DEG或2DHG電接觸；第二電極，其在所述第一柵摻雜區(qū)上方與所述第一異質(zhì)結(jié)內(nèi)的2DEG或2DHG電接觸；以及第三電極，其在所述第一柵摻雜區(qū)與所述第一異質(zhì)結(jié)內(nèi)的2DEG或2DHG電接觸。本發(fā)明進(jìn)一步包括一種半導(dǎo)體器件的制造方法。