一種具有高耐壓能力的高電子遷移率晶體管
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910822403.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112447836A | 公開（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112447836A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-05 |
| 分類號(hào) | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黎子蘭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣東致能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 武成國 |
| 地址 | 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)長嶺路30號(hào)19棟139房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體功率器件，具體而言，涉及一種高耐壓高電子遷移率晶體管(HEMT)。高耐壓高電子遷移率晶體管，其包含柵電極、源電極、漏電極、勢(shì)壘層、P?型氮化物半導(dǎo)體層、襯底；P?型氮化物半導(dǎo)體層位于勢(shì)壘層和襯底之間，其不足以顯著耗盡除柵堆垛外的溝道中的二維電子氣，且源電極與P?型氮化物半導(dǎo)體層電接觸，源電極與漏電極都與二維電子氣電接觸。?? |
