雙向ESD保護器件、結構及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011235908.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112151534B 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN112151534B 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L27/02;H01L21/84 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 史林森;劉興龍;關宇軒;李建平;劉森 申請（專利權）人 微龕（廣州）半導體有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 佟婷婷
地址 510663 廣東省廣州市高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)科學大道18號A棟十一層1101單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種雙向ESD保護器件、結構及制備方法，ESD保護結構包括至少一個ESD保護結構單元，ESD保護結構單元包括基底、N阱、第一P阱、第二P阱、第一P注入區(qū)、第二P注入區(qū)、第三P注入區(qū)、第一N注入區(qū)、第二N注入區(qū)、第一導電柵、第二導電柵及功能層引出結構。本發(fā)明的雙向ESD保護器件、結構及制備方法，通過前柵可以改變阱的電勢，背柵不僅可以改變阱電勢，還可以改變集電結的勢壘，實現對觸發(fā)電壓的調制。無論正向還是反向的靜電信號，都可以實現正負的調制，電壓范圍可變化而不影響其它器件，極大的增加了設計的靈活性以及系統(tǒng)的可靠性。本發(fā)明可采用多指結構設計，提升泄放電流能力。