異質(zhì)結(jié)電池的制備方法及異質(zhì)結(jié)電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210383405.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114725246A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114725246A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/072（2012.01）I;H01L31/0216（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莊挺挺;徐昕;李建清;辛科;李晨 申請（專利權(quán)）人 安徽華晟新能源科技有限公司
代理機構(gòu) 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 242000安徽省宣城市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及異質(zhì)結(jié)電池技術(shù)領(lǐng)域，具體提供一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法及異質(zhì)結(jié)電池。該異質(zhì)結(jié)電池的制備方法，包括：形成半導體襯底層，半導體襯底層的正面和/或背面為拋光面；在半導體襯底層的拋光面一側(cè)形成透明導電膜；對透明導電膜進行刻蝕，以在透明導電膜背離拋光面的一側(cè)表面形成減反射結(jié)構(gòu)。該異質(zhì)結(jié)電池中半導體襯底層的表面比較平整，即使生長較薄的透明導電膜均勻性也較好，透明導電膜對電流的引出比較均勻，能夠提高透明導電膜對電流的收集能力；由于無須對半導體襯底層進行制絨清洗制絨處理，半導體襯底層較厚，較厚的半導體襯底層能夠產(chǎn)生更多的電子和空穴對，從而能夠產(chǎn)生較大的電流，提高異質(zhì)結(jié)電池的開路電壓。