一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202210306227.3 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN114725239A | 公開(公告)日 | 2022-07-08 |
| 申請公布號 | CN114725239A | 申請公布日 | 2022-07-08 |
| 分類號 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 周肅;龔道仁;徐曉華;張良;張景 | 申請(專利權(quán))人 | 安徽華晟新能源科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 242000安徽省宣城市宣城經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)安徽省宣城經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科技園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種異質(zhì)結(jié)電池的制備方法,該方法包括:提供半導體襯底層,在所述半導體襯底層至少一側(cè)形成摻雜非晶硅膜;對所述摻雜非晶硅膜在富氧條件下進行晶化處理,使所述摻雜非晶硅膜形成摻雜微晶硅膜。本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)電池的制備方法中,摻雜微晶硅膜由摻雜非晶硅膜晶化后形成,采用沉積非晶硅膜而后再微晶化的方式,其設(shè)備成本相對于直接沉積微晶硅膜的設(shè)備成本較低,且非晶硅膜晶化工藝簡單,可顯著降低生產(chǎn)成本。 |





