氮化鎵MISHEMT的制作方法以及結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010265918.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111341660A 公開（公告）日 2020-06-26
申請公布號 CN111341660A 申請公布日 2020-06-26
分類號 H01L21/335(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 劉春利 申請（專利權(quán)）人 深圳鎵華微電子有限公司
代理機構(gòu) 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳鎵華微電子有限公司
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)麗山路10號桑泰大廈903室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種氮化鎵MISHEMT的制作方法，包括：晶圓開槽并在槽內(nèi)沉積金屬得到源極金屬、漏極金屬以及柵門金屬；表面沉積第一絕緣介質(zhì)層；將第一絕緣介質(zhì)層開口以打開源極金屬以及漏極金屬，并在開口內(nèi)形成第一鏈接金屬；表面沉積第一金屬層；刻蝕第一金屬層得到鏈接源極金屬的第一源極金屬場板以及鏈接漏極金屬的第一漏極金屬場板；表面沉積第二絕緣介質(zhì)層；將第二絕緣介質(zhì)層開口以分別打開第一源極金屬場板以及第一漏極金屬場板，并在開口內(nèi)形成第二鏈接金屬；表面沉積第二金屬層；刻蝕第二金屬層得到鏈接第一源極金屬場板的第二源極金屬場板以及鏈接第一漏極金屬場板的第二漏極金屬場板；表面沉積鈍化層。本發(fā)明能夠有效提高器件抗壓性能。??