基于GaN材料的半導(dǎo)體器件材料層結(jié)構(gòu)以及GaN器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020475491.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211320109U | 公開（公告）日 | 2020-08-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211320109U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-21 |
| 分類號(hào) | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 劉春利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 深圳鎵華微電子有限公司 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)麗山路10號(hào)桑泰大廈903室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種基于GaN材料的半導(dǎo)體器件材料層結(jié)構(gòu)，其包括襯底以及在襯底上依次形成的形核層、過(guò)渡層、超結(jié)晶格層、第一二維電子氣約束層、通道層、阻擋層、實(shí)時(shí)沉積于阻擋層上的第一鈍化層、第二二維電子氣約束層、實(shí)時(shí)沉積于所述第二二維電子氣約束層上的第二鈍化層、第三鈍化層，于所述通道層以及所述阻擋層之間形成二維電子氣，所述第一二維電子氣約束層的禁帶寬度大于所述通道層的禁帶寬度，所述第二二維電子氣約束層的禁帶寬度大于所述阻擋層的禁帶寬度，所述第三鈍化層為低壓等離子SiNx層。本實(shí)用新型從多方面來(lái)充分降低GaN器件的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻，特別是高溫動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻，提高GaN器件的可靠性。?? |
