一種氮化鎵傳感器、制備方法和多傳感器系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510845956.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105424780B 公開（公告）日 2018-06-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN105424780B 申請(qǐng)公布日 2018-06-22
分類號(hào) G01N27/414 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 法比奧·圣阿加塔;艾莉娜·耶爾沃利諾;羅伯特·索科洛夫斯基;董明智;張國旗;王小葵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京代爾夫特電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京煦潤(rùn)律師事務(wù)所 代理人 周倩
地址 101300 北京市順義區(qū)高麗營鎮(zhèn)文化營村北(臨空二路1號(hào))
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化鎵傳感器、制備方法和多傳感器系統(tǒng)，該傳感器包括：異質(zhì)半導(dǎo)體襯底，以及位于其上的III族氮化物基HEMT結(jié)構(gòu)的晶體管；其中，所述晶體管的源極和漏極金屬均設(shè)置在晶體管頂層的半導(dǎo)體之上，柵極表面具有經(jīng)功能化處理得到的功能化膜，源極和漏極之間裸露的柵極區(qū)域形成傳感區(qū)域；通過對(duì)所述傳感區(qū)域進(jìn)行凹陷刻蝕或傳感層減薄的方式，對(duì)所述傳感區(qū)域進(jìn)行優(yōu)化處理；使用優(yōu)化處理后的所述傳感區(qū)域，通過檢測(cè)所述傳感區(qū)域的電流變化，實(shí)現(xiàn)對(duì)與所述傳感區(qū)域接觸的待檢測(cè)物的濃度檢測(cè)。本發(fā)明的方案，可以克服現(xiàn)有技術(shù)中靈敏度低、檢測(cè)范圍小和便攜性差等缺陷，實(shí)現(xiàn)靈敏度高、檢測(cè)范圍大和便攜性好的有益效果。