一種化學(xué)氣相沉積高純鉭濺射靶材制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910128675.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109609925A 公開（公告）日 2019-04-12
申請公布號 CN109609925A 申請公布日 2019-04-12
分類號 C23C16/14;C23C14/34 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉洋;劉瑞 申請（專利權(quán)）人 蘇州鑫灃電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科家知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張麗
地址 215000 江蘇省蘇州市太倉市陳門涇路103號工業(yè)園區(qū)11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種化學(xué)氣相沉積高純鉭濺射靶材制作方法，包括如下步驟：（1）準(zhǔn)備原料：以五氟化鉭為原料；（2）制備高純金屬鉭：通過化學(xué)氣相沉積設(shè)備，用還原氣體將五氟化鉭還原成高純金屬鉭；（3）將步驟（2）中得到的高純金屬鉭沉積到基體材料上，一步法生產(chǎn)高純度鉭靶材或鉭靶材坯料。本發(fā)明用以制作高純度、高密度、大尺寸的鉭濺射靶材，氣相沉積反應(yīng)為連續(xù)氣態(tài)反應(yīng)，反應(yīng)過程均勻，產(chǎn)品一致性好；采用一步法制備鉭靶材，避免二次加工污染，有利于保證鉭靶材產(chǎn)品質(zhì)量，且生產(chǎn)成本低。