一種VDMOS器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811093637.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109103110B 公開(kāi)（公告）日 2021-10-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN109103110B 申請(qǐng)公布日 2021-10-29
分類(lèi)號(hào) H01L21/336;H01L29/78 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 盛世瑤蘭（深圳）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市蘭鋒盛世知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 馬世中
地址 518000 廣東省深圳市羅湖區(qū)桂園街道寶安南路3042號(hào)天地大廈21樓2113
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種VDMOS器件及其制作方法，所述方法包括：在外延層上表面依次生長(zhǎng)柵氧化層以及位于所述柵氧化層表面且具有第一開(kāi)口的多晶硅層；在所述外延層表面區(qū)域形成第二導(dǎo)電類(lèi)型的體區(qū)；在所述柵氧化層極及所述多晶硅層上表面形成第一介質(zhì)層；在所述第一開(kāi)口內(nèi)形成多個(gè)源區(qū)光刻膠，對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行濕法腐蝕，以去除未被所述源區(qū)光刻膠覆蓋的第一介質(zhì)層以及被所述源區(qū)光刻膠覆蓋的部分所述第一介質(zhì)層，所保留的第一介質(zhì)層為第二介質(zhì)層；對(duì)所述柵氧化層進(jìn)行干法刻蝕，去除所述源區(qū)光刻膠下方以外的所述柵氧化層，以形成階梯狀的源區(qū)注入窗口；通過(guò)注入及熱驅(qū)入工藝，在所述體區(qū)表面區(qū)域形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)。