一種功率半導(dǎo)體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910347370.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110190029A 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN110190029A 申請公布日 2021-07-09
分類號 H01L21/8234;H01L21/425 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金恩澤;李宗憲;尹鍾晚 申請（專利權(quán)）人 愛特微（張家港）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王巍巍
地址 215600 江蘇省蘇州市張家港經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)新豐東路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為一種功率半導(dǎo)體器件的制備方法，在制備功率半導(dǎo)體器件時，為了支持器件在關(guān)閉（turn?off）時陽極和陰極兩端能夠連接高電壓，必須在功率半導(dǎo)體器件周圍形成邊緣終端區(qū)域?；镜臉?gòu)成要素包括，在形成PN結(jié)的P型well或N型well的加工過程中，無需經(jīng)過另外的掩蔽層步驟和離子注入步驟，而是與有源區(qū)的多數(shù)MOS柵極結(jié)構(gòu)cell或者二極管cell的形成所需要的離子注入步驟同時進行，由于同時進行離子注入加工所以形成了相同濃度的well。