一種半導(dǎo)體外延片生長(zhǎng)設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110408846.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112981526A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112981526A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B25/08;C30B29/06 | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 鄭國(guó) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海衍梓智能科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海國(guó)瓴律師事務(wù)所 | 代理人 | 傅耀 |
| 地址 | 200240 上海市閔行區(qū)劍川路951號(hào)零號(hào)灣2號(hào)樓506 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體外延片生長(zhǎng)設(shè)備，包括基座、射頻電磁線(xiàn)圈、鐘罩、側(cè)隔板條、頂盤(pán)和墊片。其中，基座有三層硅片位，射頻電磁線(xiàn)圈包括12環(huán)銅線(xiàn)圈，頂盤(pán)直徑為5cm?50cm，墊片高度為2cm?9cm，射頻電磁線(xiàn)圈位于鐘罩外部并環(huán)繞基座，墊片連接基座和所述頂盤(pán)。其中本發(fā)明的有益效果是：原有的外延片生長(zhǎng)設(shè)備僅能在基座上放兩層硅片位，本設(shè)備可以設(shè)置三層硅片位，提高了50％的產(chǎn)能；且實(shí)現(xiàn)外延層厚度均勻度<3％,電阻率均勻度<4％,爐內(nèi)均勻度<5％，良率達(dá)到88％以上的生產(chǎn)要求。 |
