改善硅外延片背面邊緣長(zhǎng)硅的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210260870.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114318295A 公開(kāi)（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114318295A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類號(hào) C23C16/44（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 米姣;薛宏偉;袁肇耿;劉永超;侯志義;任麗翠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 河北普興電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 張一
地址 050200河北省石家莊市鹿泉經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)昌盛大街21號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種改善硅外延片背面邊緣長(zhǎng)硅的方法，屬于硅外延生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，方法包括：外延生長(zhǎng)前，向外延反應(yīng)腔室內(nèi)通入大流量的氣態(tài)HCl，刻蝕去除外延反應(yīng)腔室以及基座內(nèi)沉積的硅；外延生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉積法，將具有特定彎曲度的襯底放入基座的片坑內(nèi)，且襯底向遠(yuǎn)離基座的方向彎曲；外延生長(zhǎng)之后，將外延片取出，再次向外延反應(yīng)腔室通入大流量的氣態(tài)HCL。本發(fā)明由于采用了具有特定彎曲度的襯底，及外延生長(zhǎng)前后均采用大流量的氣體刻蝕清洗，因此可以明顯改善硅外延片背面邊緣長(zhǎng)硅問(wèn)題，減小硅外延片邊緣局部平整度，避免后道光刻聚焦不良問(wèn)題，滿足后道工序光刻要求，從而能夠提高光刻圖形的位置準(zhǔn)確性，提高產(chǎn)品的質(zhì)量。