一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202023090586.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN213845309U | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
| 申請公布號 | CN213845309U | 申請公布日 | 2021-07-30 |
| 分類號 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I;H01L33/56(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 林秋霞;劉健;黃森鵬;余長治;徐宸科 | 申請(專利權(quán))人 | 泉州三安半導體科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 高園園 |
| 地址 | 362343福建省泉州市南安市石井鎮(zhèn)院前村 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型公開了一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括:基板,位于基板上的LED芯片和第一封裝層,以及位于第一封裝層外圍的第二封裝層。第一封裝層為氟材料,能夠更好地抵御紫外光線的破壞,同時氟材料的透射率比較高,能夠提高LED的出光率;在第一封裝層外圍設(shè)置第二封裝層,可以避免切割時在封裝材料的側(cè)壁處留下毛邊殘留,同時能夠加強基板與封裝材料的結(jié)合力,提高結(jié)構(gòu)的氣密性。本實用新型所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),能夠更好地抵御紫外光線的破壞,提高LED的出光率,結(jié)構(gòu)平整光滑,氣密性好,使用壽命也能夠得到提高。 |





