半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光單元

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022541708.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214068749U 公開(kāi)（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN214068749U 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類號(hào) H01L33/56（2010.01）I;H01L33/52（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹愛(ài)華;時(shí)軍朋;劉健;黃森鵬;陳順意;林秋霞;余長(zhǎng)治 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 史治法
地址 362343福建省泉州市南安市石井鎮(zhèn)院前村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光單元，包括：基板；紫外LED芯片，貼置于所述基板上；第一含氟材料層，位于所述基板上，且覆蓋所述紫外LED芯片；透鏡，位于所述第一含氟材料層上，且位于所述紫外LED芯片的正上方；以及第二含氟材料層，位于所述第一含氟材料層上且至少覆蓋所述透鏡的部分。上述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步提升半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的亮度從而滿足亮度要求；還能提升透鏡與含氟材料層的結(jié)合性，并且半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的一體性和亮度均得到進(jìn)一步提升。