基于MOS特性的電機保護電路
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202122998697.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN216904272U | 公開(公告)日 | 2022-07-05 |
| 申請公布號 | CN216904272U | 申請公布日 | 2022-07-05 |
| 分類號 | H02H7/08(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I;H02H3/087(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 張容瑋;何思韋;陳少峰 | 申請(專利權)人 | 浙江捷昌線性驅動科技股份有限公司 |
| 代理機構 | 杭州華鼎知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | - |
| 地址 | 312500浙江省紹興市新昌縣省級高新技術產業(yè)園區(qū) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型公開了基于MOS特性的電機保護電路,包括第一保護模塊及第二保護模塊,所述第一保護模塊的一端連接接口POW1,另一端連接電機正極,接口POW1連接二極管D1的陰極和二極管D4的陽極,二極管D1的陽極連接電機正極,二極管D4的陰極連接MOS管Q1的漏極,同時通過電阻R4連接MOS管Q1的柵極,通過電阻R2連接三極管Q4的基極,三極管Q4的集電極連接MOS管Q1的柵極,電容C3與電阻R6并聯(lián)在三極管Q4的集電極和發(fā)射極之間,三極管Q4的發(fā)射極與MOS管Q1的源極均連接電機正極;所述第二保護模塊與第一保護模塊的電路結構相同,第二保護模塊的一端連接接口POW2,另一端連接電機負極。利用MOS導通阻抗的特性防止電機損壞。 |





