具有通過粗化的改進的光提取的發(fā)光二極管(LED)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210002738.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102593288A 公開（公告）日 2012-07-18
申請公布號 CN102593288A 申請公布日 2012-07-18
分類號 H01L33/02(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱振甫;鄭好鈞;樊峰旭;劉文煌;鄭兆禎 申請（專利權）人 旭瑞光電股份有限公司
代理機構 北京三友知識產權代理有限公司 代理人 旭瑞光電股份有限公司;佛山市國星半導體技術有限公司
地址 528222 廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)科教路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了用于通過在LED器件上形成n型摻雜氮化鎵(n-GaN)層并且對所述n-GaN層的表面進行粗化以從所述LED器件的內部提取光來制造半導體發(fā)光二極管(LED)器件的系統(tǒng)和方法。