一種雙向ESD保護電路
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011546107.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112448380A | 公開(公告)日 | 2021-03-05 |
| 申請公布號 | CN112448380A | 申請公布日 | 2021-03-05 |
| 分類號 | H02H9/04(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 胡利志 | 申請(專利權)人 | 成都思瑞浦微電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 南京蘇科專利代理有限責任公司 | 代理人 | 陳忠輝 |
| 地址 | 641400四川省成都市高新區(qū)天辰路88號3棟2單元201號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明揭示了一種雙向ESD保護電路,接設于芯片供電端的引腳PIN與接地端的引腳GND之間,由二極管D1、PMOS管MP1~MP5、電阻R1相接構(gòu)成,其中PMOS管MP1、MP2的漏極、MP4的柵極與引腳PIN相連接,MP4的源極、漏極與MP2的柵極共連相接,PMOS管MP1的源極、MP3的漏極、MP5的柵極與二極管D1的陰極相接于節(jié)點Vminus,MP5的源極、漏極與MP3的柵極共連相接,二極管D1的陽極與引腳GND相接于地,且PMOS管MP2、MP3的共源極和所有PMOS管的襯底均相接于節(jié)點Vbody,電阻R1接入PMOS管MP1的柵極與節(jié)點Vbody之間。應用該ESD保護電路設計,在正向靜電或負向靜電產(chǎn)生時,能利用正向耐高壓的二極管吸收正向靜電,負向二極管分壓限制;通過簡單設計和較小的面積占用,提高了ESD保護的可靠性,有效避免芯片內(nèi)部電路受損。?? |





