一種高純度結(jié)晶方法及結(jié)晶裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010573810.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111617512A | 公開（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請公布號 | CN111617512A | 申請公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號 | B01D9/02(2006.01)I | 分類 | 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置; |
| 發(fā)明人 | 秦占岐 | 申請（專利權(quán)）人 | 河北鑫楠化工有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 石家莊輕拓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李瑞妍 |
| 地址 | 054300河北省邢臺市臨城經(jīng)濟開發(fā)區(qū)中興大街51號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種高純度結(jié)晶方法及結(jié)晶裝置，屬于結(jié)晶技術(shù)領(lǐng)域。將飽和溶液槽中溶解有某種溶質(zhì)的飽和溶液降溫形成過飽和溶液，將結(jié)晶附著機構(gòu)伸入過飽和溶液中，結(jié)晶，晶體析出并沿結(jié)晶附著機構(gòu)爬至液面以上，用刮離機構(gòu)刮離液面以上附著于結(jié)晶附著機構(gòu)上的晶體，此部分晶體即為所得晶體。裝置包括由飽和溶液槽上端開口處伸入其內(nèi)的結(jié)晶附著機構(gòu)，及刮離機構(gòu)。本發(fā)明方法及裝置大大提高了所得晶體純度，所得晶體純度至少可達99.99％。?? |
