一種高純度結(jié)晶方法及結(jié)晶裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010573810.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111617512B | 公開（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111617512B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-25 |
| 分類號(hào) | B01D9/02（2006.01）I | 分類 | 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置; |
| 發(fā)明人 | 秦占岐 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 河北鑫楠化工有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 石家莊輕拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李瑞妍 |
| 地址 | 054300河北省邢臺(tái)市臨城經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)中興大街51號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種高純度結(jié)晶方法及結(jié)晶裝置，屬于結(jié)晶技術(shù)領(lǐng)域。將飽和溶液槽中溶解有某種溶質(zhì)的飽和溶液降溫形成過(guò)飽和溶液，將結(jié)晶附著機(jī)構(gòu)伸入過(guò)飽和溶液中，結(jié)晶，晶體析出并沿結(jié)晶附著機(jī)構(gòu)爬至液面以上，用刮離機(jī)構(gòu)刮離液面以上附著于結(jié)晶附著機(jī)構(gòu)上的晶體，此部分晶體即為所得晶體。裝置包括由飽和溶液槽上端開口處伸入其內(nèi)的結(jié)晶附著機(jī)構(gòu)，及刮離機(jī)構(gòu)。本發(fā)明方法及裝置大大提高了所得晶體純度，所得晶體純度至少可達(dá)99.99％。 |
