一種晶元背面光反射率測(cè)量裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020630052.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213600580U 公開（公告）日 2021-07-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN213600580U 申請(qǐng)公布日 2021-07-02
分類號(hào) G01N21/55（2014.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 姜華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 海太半導(dǎo)體（無錫）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市朗高知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙華
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)新區(qū)出口加工區(qū)K5、K6地塊
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶元背面光反射率測(cè)量裝置，用于監(jiān)測(cè)晶元切割前晶元背面反射能量；包括測(cè)量單元，放置臺(tái)，支架，總控單元；一測(cè)量單元，包括中空殼體，設(shè)置在所述中空殼體內(nèi)的積分球，設(shè)置在所述積分球外表面的激光器和光電探測(cè)器；一放置臺(tái)，通過一支架固定連接在所述測(cè)量單元正下方；所述放置臺(tái)兩側(cè)邊緣設(shè)置有卡槽；所述放置臺(tái)中部上表面設(shè)置有限位塊一總控單元，包括計(jì)算機(jī)芯片和控制電路；本實(shí)用新型的有益效果為：方便對(duì)晶元背面的光反射率進(jìn)行監(jiān)測(cè)，有效確保晶元切割的實(shí)際能量。