一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110908129.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113643970A 公開(kāi)（公告）日 2021-11-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113643970A 申請(qǐng)公布日 2021-11-12
分類(lèi)號(hào) H01L21/28（2006.01）I;H01L21/337（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 何志;鄭柳 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 重慶西南華渝專(zhuān)利代理有限公司 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號(hào)附237號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制作方法，具體包括以下步驟：S1，在碳化硅襯底表面采用外延工藝進(jìn)行外延，先后得到緩沖層和外延層；S2，在外延層上先后進(jìn)行介質(zhì)薄膜沉積和光刻形成圖形化第一掩膜層，再通過(guò)刻蝕形成柵極溝槽；S3，在步驟S2得到的樣品外延層表面再次進(jìn)行外延生長(zhǎng)形成柵極摻雜區(qū)；S4，采用化學(xué)機(jī)械拋光，去除外延層表面多余的外延薄膜，對(duì)樣品表面進(jìn)行平坦化處理。本發(fā)明采用外刻蝕工藝，再次外延和表面平坦化相結(jié)合的工藝，可實(shí)現(xiàn)多種碳化硅器件結(jié)構(gòu)的制備；且制備工藝簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，適合大規(guī)模生產(chǎn)。