一種用皮秒激光照射制備碳化硅結(jié)構(gòu)的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910501481.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112071740A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112071740A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-11 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉敏;何鈞;何志 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 重慶偉特森電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 重慶中流知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號(hào)附237號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中碳化硅刻蝕效率低的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種用皮秒激光照射制備碳化硅結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：S100：清洗碳化硅晶片；S200：通過(guò)皮秒激光照射碳化硅待刻蝕區(qū)域；S300：采用干法刻蝕機(jī)對(duì)碳化硅樣品進(jìn)行干法刻蝕，形成刻蝕溝槽；S400：干法刻蝕完畢之后去除刻蝕掩膜層；S500：去除刻蝕溝槽側(cè)壁和溝槽底部的刻蝕損傷層。本發(fā)明在具體使用中，將碳化硅清洗后通過(guò)皮秒激光束照射碳化硅待刻蝕區(qū)域的表面，持續(xù)一定時(shí)間后，破壞該區(qū)域深度范圍內(nèi)碳化硅材料的碳硅鍵，提高該區(qū)域碳化硅的干法刻蝕速度，刻蝕效率高。?? |
