一種結(jié)勢壘肖特基結(jié)構(gòu)的二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922355717.9 申請日 -
公開（公告）號 CN211629119U 公開（公告）日 2020-10-02
申請公布號 CN211629119U 申請公布日 2020-10-02
分類號 H01L29/872(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 鄭柳 申請（專利權(quán)）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機構(gòu) 重慶中流知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號附237號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種結(jié)勢壘肖特基結(jié)構(gòu)二極管的結(jié)構(gòu)，具體包括：第一導電類型的襯底；在襯底上表面設(shè)有第一導電類型的外延層，以及襯底與外延層之間設(shè)有第一導電類型的緩沖層；設(shè)置于外延層上表面的肖特基接觸電極；襯底下表面設(shè)有歐姆接觸電極，襯底與歐姆接觸電極之間設(shè)有第二隔離介質(zhì)層；設(shè)置于外延層上表面兩側(cè)的第二導電類型阱區(qū)；在肖特基接觸電極下表面兩側(cè)設(shè)有與第二導電類型阱區(qū)相對應(yīng)并且等寬的第一隔離介質(zhì)層；本實用新型將肖特基二極管和PiN結(jié)構(gòu)結(jié)合在一起，通過PN結(jié)勢壘排除隧穿電流對最高阻斷電壓的限制，使得結(jié)勢壘肖特基(JBS)結(jié)構(gòu)相比于肖特基(SBD)器件，在反向模式下，可以在不犧牲正向?qū)▔航档幕A(chǔ)上，具有更低的反向漏電流，和更高的阻斷電壓。??