一種半導體器件終端結構及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111197173.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113948491A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113948491A 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L23/498（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃己森 申請（專利權）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機構 重慶西南華渝專利代理有限公司 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號附237號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導體器件制造領域，公開了一種半導體器件終端結構，包括半導體外延薄膜，且半導體外延薄膜表面自下而上依次覆蓋有場板、焊接層和鈍化層，在場板上表面還設有介質層，且介質層位于焊接層和鈍化層下方；焊接層下表面還設有覆蓋半導體外延薄膜和場板的勢壘層。本發(fā)明結構簡單，易于加工；將介質層放到金屬層下方，可防止介質層因應力而受損，進一步延長了器件的使用壽命。制備上述器件的方法為S1，在外延薄膜上淀積場板，再在場板上淀積介質層；S2，先介質層和場板；S3，淀積勢壘層，圖形化，腐蝕，退火；S4，淀積介質層，圖形化，腐蝕，退火；S5，涂覆鈍化層，圖形化后固化鈍化層。本發(fā)明步驟簡單易操作，可實現(xiàn)大規(guī)模生產，易于量產和推廣。