一種碳化硅二極管元胞結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922270391.X 申請日 -
公開（公告）號 CN211719595U 公開（公告）日 2020-10-20
申請公布號 CN211719595U 申請公布日 2020-10-20
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭柳 申請（專利權）人 重慶偉特森電子科技有限公司
代理機構 重慶中流知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 郭桂林
地址 400700重慶市北碚區(qū)云漢大道117號附237號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種碳化硅二極管元胞結構，其中心填充區(qū)域為第一p型注入?yún)^(qū)，其外層填充區(qū)域為第二p型注入?yún)^(qū)，在中心填充區(qū)域與外層填充區(qū)域之間的區(qū)域為無注入n型區(qū)域，其特征在于，包括第二p型注入?yún)^(qū)的橫截面呈六邊形，無注入n型區(qū)域的橫截面呈圓形或十二邊形，第一p型注入?yún)^(qū)的橫截面呈圓形或十二邊形，其中：呈圓形或十二邊形的無注入n型區(qū)域的元胞元胞排列組合。本實用新型有效避免球面結電場聚集導致的耐壓偏低的問題，進一步提升碳化硅二極管性能，并增強了實用性。??