高發(fā)射性能的MEMS超聲換能器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110034536.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112871614B | 公開（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112871614B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-15 |
| 分類號(hào) | B06B1/06（2006.01）I | 分類 | 一般機(jī)械振動(dòng)的發(fā)生或傳遞; |
| 發(fā)明人 | 孫成亮;朱偉;吳志鵬;王磊;林炳輝;胡博豪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 寧波華彰企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 鄭勤振 |
| 地址 | 315832 浙江省寧波市北侖區(qū)梅山七星路88號(hào)1幢401室A區(qū)E2025 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及高發(fā)射性能的MEMS超聲換能器，通過(guò)在超聲換能器上設(shè)置深槽提高發(fā)射聲壓或者帶寬，其中深槽的分布方式包括以下三種：一個(gè)或多個(gè)深槽貫穿超聲換能器壓電層、下電極、無(wú)源層、SiO2層，并一直延伸到襯底內(nèi)；超聲換能器遠(yuǎn)離襯底的上表面鍵合一層硅層，正對(duì)超聲換能器的振膜的部分設(shè)置有貫通硅層作為波導(dǎo)的開口，一個(gè)或多個(gè)深槽分布在波導(dǎo)的周圍；一個(gè)或多個(gè)深槽分布在倒裝結(jié)構(gòu)超聲換能器襯底刻蝕的背腔周圍。超聲換能器發(fā)射的聲波經(jīng)過(guò)深槽時(shí)會(huì)引起深槽內(nèi)的介質(zhì)振動(dòng)，這種振動(dòng)會(huì)在超聲換能器振膜上產(chǎn)生一個(gè)附加聲場(chǎng)，通過(guò)調(diào)節(jié)深槽的尺寸，可以調(diào)節(jié)附加聲場(chǎng)，從而調(diào)節(jié)超聲換能器的發(fā)射聲壓、帶寬、指向性等發(fā)射性能。 |
