電泳沉積法制備結(jié)構(gòu)色I(xiàn)TO的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711378719.9 申請日 -
公開（公告）號 CN108103555B 公開（公告）日 2019-06-28
申請公布號 CN108103555B 申請公布日 2019-06-28
分類號 C25D13/12（2006.01）I 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 葉常青 申請（專利權(quán)）人 蘇州中科納福材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 蘇州中科納福材料科技有限公司
地址 215024 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)港田路99號港田工業(yè)坊7號二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及膠體光子晶體膜的制備及應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及使用電泳沉積方法簡單，快速制備膠體光子晶體膜的方法。本發(fā)明的電泳沉積法制備結(jié)構(gòu)色I(xiàn)TO的方法。具體為：本發(fā)明通過于聚合物表面負(fù)載Ag量子點(diǎn)，以增強(qiáng)SiO2光子晶體的衍射能力，然后包覆PEG分子，使之帶負(fù)電，利用電泳沉積法沉積在硬質(zhì)基底ITO表面，得到本發(fā)明的結(jié)構(gòu)色I(xiàn)TO。本發(fā)明的電泳沉積法制備結(jié)構(gòu)色I(xiàn)TO的方法，提供了一種表面負(fù)載Ag量子點(diǎn)SiO2微球結(jié)構(gòu)，以增強(qiáng)光子晶體的光衍射能力；與此同時(shí)，提供了一種在硬質(zhì)基底上簡單、快速沉積光子晶體的電泳沉積法，且光子晶體與硬質(zhì)基底之間的附著力較強(qiáng)，不易脫附。