一種高精度壓力傳感器的硅芯片工藝方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011631013.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112834083A | 公開（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請公布號(hào) | CN112834083A | 申請公布日 | 2021-05-25 |
| 分類號(hào) | G01L1/00;B81C1/00 | 分類 | 測量；測試; |
| 發(fā)明人 | 何少偉;馬敏輝;宋召海 | 申請（專利權(quán)）人 | 華芯威半導(dǎo)體科技（北京）有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京邦創(chuàng)至誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張宇鋒 |
| 地址 | 100744 北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)地盛西路6號(hào)院3號(hào)樓3層302-2 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了發(fā)明涉及一種高精度壓力傳感器的硅芯片工藝方法，其采用CMOS集成電路中常用的深槽刻蝕工藝，提高了芯片的靈敏度、采用<110>晶向硅襯底材料，降低了芯片的熱阻系數(shù)，和壓力傳感器常規(guī)工藝相比提升了器件參數(shù)性能、降低了制作成本，同時(shí)本芯片工藝和MOS基準(zhǔn)工藝兼容，工藝操作簡單，降低加工成本，安全可靠，產(chǎn)品工藝易于推廣應(yīng)用。 |
