一種高偏振消光比鈮酸鋰波導(dǎo)器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111553694.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114200695A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114200695A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) G02F1/03（2006.01）I;G02F1/035（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 李彬;牛玉秀;潘小星;丁麗;陳小梅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢光迅科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市愛(ài)迪森知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 何婷
地址 430074湖北省武漢市洪山區(qū)郵科院路88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及光纖傳感和波導(dǎo)制備技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種高偏振消光比鈮酸鋰波導(dǎo)器件及其制作方法。采用質(zhì)子交換制備的鈮酸鋰波導(dǎo)由于提高TE傳導(dǎo)模（或TM傳導(dǎo)模）折射率、降低TM漏模（或TE漏模）折射率，因此天然具備單偏振傳輸特性，但是由于漏模在下表面或側(cè)面反射，重新耦合進(jìn)入波導(dǎo)區(qū)或輸出光纖3，限制了其消光比在50dB左右。利用石墨的高吸收特性以及石墨與鈮酸鋰晶體相近的折射率，本發(fā)明采用石墨導(dǎo)電膠5涂覆于芯片下表面和側(cè)面，大幅度降低漏模反射率，降低TM漏模（或TE漏模）耦合進(jìn)入輸出光纖3，具有提高鈮酸鋰波導(dǎo)的TE/TM偏振消光比的優(yōu)點(diǎn)。