一種全封閉多功能復(fù)合滲注鍍膜機

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520244448.8 申請日 -
公開（公告）號 CN204644461U 公開（公告）日 2015-09-16
申請公布號 CN204644461U 申請公布日 2015-09-16
分類號 C23C14/48(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鄢強;宋慧瑾 申請（專利權(quán)）人 四川宇戕科技有限公司
代理機構(gòu) 成都正華專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 成都金倍科技有限公司;北京天元恒泰環(huán)保科技有限公司;四川宇戕科技有限公司
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)高朋大道5號A座2樓公共秘書平臺A-348位
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種全封閉多功能復(fù)合滲注鍍膜機，包括真空室、真空獲得系統(tǒng)、圓柱靶、離子源、工件偏壓、行星式公自轉(zhuǎn)架、遮擋機構(gòu)、氣體輸入機構(gòu)、加熱機構(gòu)和專用電源等。三個及以上的圓柱靶以可鍍工件區(qū)的中心為圓心均勻分布成單圓環(huán)、中心單圓環(huán)或雙圓環(huán)；圓柱靶內(nèi)磁軛上至少均布有三列磁鐵，每個磁軛上磁鐵的N級和S級間隔放置，相鄰柱靶內(nèi)磁軛上的近鄰磁極相反。配置上離子源、工件偏壓、行星式公自轉(zhuǎn)架、遮擋機構(gòu)后能形成幾乎覆蓋整個真空室的均勻等離子體區(qū)，從而使得所制備的薄膜或涂層的組織、結(jié)構(gòu)、形貌、性能等得到明顯改善。并能實現(xiàn)連續(xù)的等離子體滲入、注入以及多元多層復(fù)合鍍膜或涂層工藝，降低成本。