濺射沉積設(shè)備及濺射沉積方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111137578.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113862624A 公開（公告）日 2021-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113862624A 申請(qǐng)公布日 2021-12-31
分類號(hào) C23C14/34（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李衛(wèi)民;吳挺俊;陳玲麗;朱宇波;朱雷;俞文杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海集成電路材料研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201800上海市嘉定區(qū)興賢路1180號(hào)1幢3層301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種濺射沉積設(shè)備和方法。設(shè)備包括腔體、復(fù)數(shù)個(gè)靶槍、惰性氣體供應(yīng)系統(tǒng)及第二氣體供應(yīng)系統(tǒng)；靶槍位于腔體內(nèi)，各靶槍上均設(shè)置有靶材，復(fù)數(shù)個(gè)靶材繞一垂線對(duì)稱設(shè)置以使得復(fù)數(shù)個(gè)靶材的輝區(qū)至少部分重疊以形成重疊沉積區(qū)；腔體內(nèi)設(shè)置有載臺(tái)，襯底上具有待沉積區(qū)，待沉積區(qū)位于重疊沉積區(qū)；第二氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括第二氣體管路，以向襯底表面供應(yīng)第二氣體；惰性氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括惰性氣體噴淋頭，惰性氣體噴淋頭位于腔體內(nèi)，用于朝復(fù)數(shù)個(gè)靶材的包含重疊沉積區(qū)在內(nèi)的輝區(qū)供應(yīng)惰性氣體，以將靶材濺射出的粒子帶到襯底表面。本發(fā)明有助于提高多靶共濺射制備的薄膜的均勻性，有助于延長靶材壽命和提高工藝良率。