利用離子注入釋放單晶氮化鋁應力的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210146662.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114525589A 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114525589A 申請公布日 2022-05-24
分類號 C30B33/00（2006.01）I;C23C14/48（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 姜文錚;母志強;朱宇波;陳玲麗;俞文杰;李衛(wèi)民 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路材料研究院有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 201800上海市嘉定區(qū)興賢路1180號1幢3層301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種利用離子注入釋放單晶氮化鋁應力的方法，包括步驟：1）于襯底上形成預鋪鋁層；2）在第一溫度下于預鋪鋁層上形成第一氮化鋁層；3）在第二溫度下于第一氮化鋁層上形成第二氮化鋁層，其中，第二溫度大于第一溫度；4）于第一氮化鋁層或第二氮化鋁層中注入氫離子或氦離子，以在第一氮化鋁層或第二氮化鋁層中形成用于應力釋放的缺陷層；5）通過熱處理使第二氮化鋁層的應力通過缺陷層釋放并同時修復缺陷層中的缺陷，以獲得低應力氮化鋁層；6）于低應力氮化鋁層上形成第三氮化鋁層。本發(fā)明可以獲得低應力、低缺陷、無裂紋的氮化鋁薄膜，同時可依據(jù)不同的需求實現(xiàn)不同厚度的氮化鋁薄膜的生長。