壓電薄膜體聲波諧振器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111045283.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113708740A 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN113708740A 申請公布日 2021-11-26
分類號 H03H9/17（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 朱宇波;李衛(wèi)民;母志強;吳挺俊;朱雷;俞文杰 申請（專利權(quán)）人 上海集成電路材料研究院有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201800上海市嘉定區(qū)興賢路1180號1幢3層301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種壓電薄膜體聲波諧振器及其制備方法，制備方法通過層轉(zhuǎn)移技術(shù)將高質(zhì)量壓電薄膜的生長與諧振器工藝分離，且空腔諧振區(qū)域只有多層薄膜構(gòu)成的諧振結(jié)構(gòu)，而引出電極及通孔等結(jié)構(gòu)均遠離空腔，可以避免產(chǎn)生雜波。本發(fā)明相比現(xiàn)有技術(shù)，形成空腔無需引入犧牲層，簡化了工藝流程；第一電極與壓電薄膜之間的界面為光滑平面，避免了產(chǎn)生應(yīng)力問題和雜散振動；引出電極等結(jié)構(gòu)遠離諧振區(qū)域，避免產(chǎn)生雜波；采用本發(fā)明的制備方法無需復(fù)雜的背面工藝及精確對準(zhǔn)過程，并且通過轉(zhuǎn)移高質(zhì)量壓電薄膜，可以得到高頻率、高耦合系數(shù)且高Q的諧振器。