一種具有電流阻擋層的發(fā)光二極管及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201110319278.1 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN103066175B | 公開(公告)日 | 2015-06-24 |
| 申請公布號 | CN103066175B | 申請公布日 | 2015-06-24 |
| 分類號 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 彭璐;黃博;劉存志;王成新 | 申請(專利權(quán))人 | 山東浪潮華光照明有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 濟南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 呂利敏 |
| 地址 | 261061 山東省濰坊市高新區(qū)金馬路9號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制備方法,本發(fā)明所述的發(fā)光二極管,通過在P型GaN表面,P電極正下方對應(yīng)的局部位置上制備一層反射膜,有效反射發(fā)光層射向電極下方的光線,反射膜上的電流阻擋層能改善電流在電極下方積聚的現(xiàn)象,具有反射作用的電流阻擋層內(nèi)的圓柱形空洞內(nèi)填充ITO導(dǎo)電材料,可以保證使P電極對應(yīng)的位置下方也有少量的電流通過,這樣既避免電流積聚,又能提高電極下方對應(yīng)位置發(fā)光區(qū)效率,同時也很好的解決了P電極下方對應(yīng)位置結(jié)溫易迅速升高的問題。 |





