一種陣列基板、制備方法以及顯示裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110727811.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113451207A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113451207A 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類(lèi)號(hào) H01L21/77（2017.01）I;H01L27/12（2006.01）I;H01L27/32（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 全祥皓;趙志偉;肖喻釗;戴文連;任佳藝;樸海蘭 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 重慶京東方顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京正理專(zhuān)利代理有限公司 代理人 李澤彥
地址 100015北京市朝陽(yáng)區(qū)酒仙橋路10號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種陣列基板、制備方法以及顯示裝置。在一具體實(shí)施方式中，該陣列基板包括多個(gè)薄膜晶體管，該陣列基板的制備方法包括在襯底上形成圖案化的有源材料層，圖案化的有源材料層包括待形成的薄膜晶體管的溝道區(qū)以及對(duì)應(yīng)薄膜晶體管的源漏電極的非溝道區(qū)；在襯底上形成金屬層，金屬層使得多個(gè)薄膜晶體管的非溝道區(qū)電連接；在金屬層和圖案化的有源材料層上形成柵極絕緣層、柵極以及與非溝道區(qū)電連接的源漏電極，以形成多個(gè)薄膜晶體管。該實(shí)施方式的制備方法通過(guò)形成與多個(gè)薄膜晶體管的非溝道區(qū)電連接的金屬層，從而降低制備得到的陣列基板的薄膜晶體管之間的電流電阻，改善薄膜晶體管之間的電流移動(dòng)。