降低襯偏效應(yīng)的多晶電阻匹配方法及電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110928653.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113675188A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-11-19 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113675188A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-19 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/02（2006.01）I;H01L27/08（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張明;焦煒杰;楊金權(quán) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇潤(rùn)石科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫永樂(lè)唯勤專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 章陸一 |
| 地址 | 214028江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)弘毅路10號(hào)金乾座1901-1910、2001-2010室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種多晶電阻匹配方法及電路，尤其是一種降低襯偏效應(yīng)的多晶電阻匹配方法及電路。對(duì)于待匹配的第一電阻單元與第二電阻單元，將第一電阻單元?jiǎng)澐諥個(gè)依次連接的第一電阻分段單元，n個(gè)依次串接的電阻體均勻分布于所述A個(gè)第一電阻分段單元內(nèi)，每個(gè)第一電阻分段單元內(nèi)所有的電阻體均位于所在第一電阻分段單元內(nèi)的同一第一電阻分段襯底上；將A個(gè)第一電阻分段單元內(nèi)第一電阻分段襯底的電位設(shè)置為所在第一電阻分段單元相對(duì)應(yīng)的中間電位或所在第一電阻分段單元相對(duì)應(yīng)的最大電位，將第二電阻單元采用與第一電阻單元相同的設(shè)置方式，從而能有效降低襯偏效應(yīng)，提高多晶電阻匹配的精度，適應(yīng)范圍廣，安全可靠。 |
