高電子遷移率晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710220931.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108695384A 公開（公告）日 2018-10-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN108695384A 申請(qǐng)公布日 2018-10-23
分類號(hào) H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李寶國(guó);陳容傳;多新中;馬勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京華通芯電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京英創(chuàng)嘉友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京華通芯電科技有限公司
地址 100097 北京市海淀區(qū)豐慧中路7號(hào)新材料創(chuàng)業(yè)大廈8層818-113
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種高電子遷移率晶體管，包括：襯底、溝道層、勢(shì)壘層、漏極、柵極、源極以及多個(gè)保護(hù)層，襯底、溝道層、勢(shì)壘層由下至上依次堆疊，源極和漏極分別形成在勢(shì)壘層上表面的左右兩端，柵極形成在源極和漏極之間且分別與源極和漏極間隔；多個(gè)保護(hù)層堆疊設(shè)置在源極和漏極之間的勢(shì)壘層上表面且覆蓋在柵極上；多個(gè)保護(hù)層中的每個(gè)保護(hù)層包括鈍化層和形成在鈍化層上的屏蔽層，多個(gè)保護(hù)層中的屏蔽層從柵極的邊緣自下而上逐漸趨近漏極；多個(gè)保護(hù)層中位于最下方的屏蔽層與柵極在垂直于勢(shì)壘層上表面方向上的投影至少部分重疊。通過本公開的技術(shù)方案，可以在不增加高電子遷移率晶體管導(dǎo)通電阻的情況下提高其擊穿電壓，同時(shí)減少寄生輸入電容和反饋電容。