一種半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011629151.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114695545A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695545A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 裴軼;韓嘯;李元 申請（專利權）人 蘇州能訊高能半導體有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種半導體器件及其制備方法，半導體器件包括工作區(qū)以及圍繞工作區(qū)的劃片區(qū)；工作區(qū)包括有源區(qū)以及圍繞有源區(qū)的無源區(qū)；半導體器件還包括：襯底、多層半導體層、柵極、柵極鍵合盤以及屏蔽結構；柵極鍵合盤與柵極電連接；通過增設屏蔽結構，有效屏蔽封裝過程中的貼片銀漿中的銀離子遷移至鍵合盤，保證鍵合盤以及與鍵合盤連接的電極性能穩(wěn)定，避免鍵合盤以及與鍵合盤連接的電極與源極發(fā)生短路，保證半導體器件可以正常工作。