一種半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011593625.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114695531A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695531A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張乃千;吳星星;裴軼;宋晰 申請（專利權）人 蘇州能訊高能半導體有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種半導體器件及其制備方法，半導體器件包括有源區(qū)以及圍繞有源區(qū)的無源區(qū)；半導體器件還包括：襯底；位于襯底一側且位于有源區(qū)的至少兩個柵極，至少兩個柵極包括第一柵極和第二柵極；位于襯底一側且位于無源區(qū)的至少一個柵極連接結構，柵極連接結構分別與第一柵極和第二柵極接觸電連接；柵極連接結構和與其接觸連接的柵極一體設置。采用上述技術方案，可以在兼顧功率和頻率特性的同時，保證柵極結構穩(wěn)定、性能穩(wěn)定；還可以在滿足不同頻率和功率設計時，大大降低工業(yè)成本；并且半導體器件結構簡單，工藝簡單。