一種半導(dǎo)體器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011629130.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114695544A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114695544A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李元;裴軼;徐廣澤 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215300江蘇省蘇州市昆山市高新區(qū)晨豐路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件包括有源區(qū)以及圍繞有源區(qū)的非有源區(qū)；半導(dǎo)體器件還包括：襯底；位于襯底一側(cè)的多層半導(dǎo)體層；位于襯底一側(cè)的至少一個(gè)屏蔽結(jié)構(gòu)，屏蔽結(jié)構(gòu)與預(yù)設(shè)電位電連接，用于形成所述有源區(qū)指向所述非有源區(qū)的電場(chǎng)或零電場(chǎng)。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，通過(guò)設(shè)置屏蔽結(jié)構(gòu)，同時(shí)屏蔽結(jié)構(gòu)與預(yù)設(shè)電位電連接，從而可以形成有源區(qū)指向非有源區(qū)的電場(chǎng)或零電場(chǎng)，有效屏蔽銀離子，抑制其遷移至半導(dǎo)體芯片正面中心區(qū)域，得到性能穩(wěn)定的半導(dǎo)體器件。 |
