一種高內(nèi)量子效率的綠光LED磊晶結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021779199.X 申請日 -
公開（公告）號 CN213692084U 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN213692084U 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L33/12（2010.01）I;H01L33/04（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐良;劉建哲;李昌勛;陳雷;蔣陽;李京波 申請（專利權(quán)）人 黃山博藍(lán)特半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖眾匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹宏筠
地址 245000安徽省黃山市黃山九龍低碳經(jīng)濟園區(qū)翠薇北路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高內(nèi)量子效率的綠光LED磊晶結(jié)構(gòu)，包括襯底，依次疊加設(shè)置在襯底上的AlN緩沖層、缺陷湮滅層、u?GaN層、N?GaN層、發(fā)光層、電子阻擋層和P?GaN層；所述缺陷湮滅層由若干對交替堆疊的AlN/GaN組成。所述AlN/GaN的周期重復(fù)數(shù)大于10，所述AlN的厚度為2～10nm，GaN的厚度為15～30nm。本實用新型在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)上增加了缺陷湮滅層，缺陷湮滅層采用AlN/GaN交替堆疊的結(jié)構(gòu)能夠?qū)lN緩沖層未阻擋掉的缺陷（缺陷密度約10cm）進(jìn)一步進(jìn)行降低。缺陷延伸到缺陷湮滅層的超晶格界面處會發(fā)生轉(zhuǎn)向和湮滅，多周期交替生長的結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑷毕菝芏冉档偷?0/cm量級?？蓮V泛應(yīng)用于綠光LED磊晶領(lǐng)域。