一種高亮度深紫外LED用圖形化藍寶石襯底及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010472434.7 申請日 -
公開（公告）號 CN111613704B 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN111613704B 申請公布日 2021-05-18
分類號 H01L33/20;H01L33/12;H01L33/46;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐良;郭煒;孫海定;李昌勛;史偉言;劉建哲;李京波;夏建白 申請（專利權(quán)）人 黃山博藍特半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖眾匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹宏筠
地址 245000 安徽省黃山市黃山九龍低碳經(jīng)濟園區(qū)翠薇北路66號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高亮度深紫外LED用圖形化藍寶石襯底及其制備方法。該藍寶石襯底，包括藍寶石晶片，所述藍寶石晶片包括晶片C面，在晶片C面上分布有刻蝕孔，所述刻蝕孔包括底部沉孔和擴孔，所述晶片C面及擴孔的表面沉積有一層AlN/AlGaN薄膜，所述底部沉孔內(nèi)設(shè)置有納米級圖形或DBR反射層。該高亮度深紫外LED用圖形化藍寶石襯底的制備方法依次為涂膠、納米壓印，刻蝕，沉積AlN/AlGaN薄膜，涂膠，曝光、顯影，刻蝕，涂膠，曝光、顯影，沉積納米晶?；虺练eDBR反射層等工序。通過本發(fā)明獲得的圖形化藍寶石襯底結(jié)構(gòu)，能夠顯著提高藍寶石晶片的深紫外光折射率，進而大幅度提高LED器件的光提取率，最終提高UVCLED的亮度,該圖形化襯底技術(shù)可廣泛應(yīng)用于UVCLED制造領(lǐng)域。