絕緣柵雙極型晶體管集成快恢復二極管制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910100775.5 申請日 -
公開（公告）號 CN101640186B 公開（公告）日 2011-02-16
申請公布號 CN101640186B 申請公布日 2011-02-16
分類號 H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 屈志軍;曾祥 申請（專利權）人 無錫鳳凰半導體科技有限公司
代理機構 杭州裕陽專利事務所（普通合伙） 代理人 無錫鳳凰半導體科技有限公司
地址 214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)錦溪路100號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種絕緣柵雙極型晶體管集成快恢復二極管制作方法，其首先在襯底表面做IGBT集電極；接著在襯底表面生長N-外延膜；在生長的N-外延膜上做IGBT正面圖形；接著再進行襯底背面研磨，最后在襯底背面蒸鍍金屬膜。通過在襯底上長外延膜在外延膜表面上制作IGBT圖形，之后進行背面研磨及蒸鍍金屬膜工藝，克服了現(xiàn)有技術背面濃p型注入激活率不高及容易發(fā)生碎片的缺陷。