低柵電容的絕緣柵雙極型晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201120303757.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN202189792U 公開（公告）日 2012-04-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN202189792U 申請(qǐng)公布日 2012-04-11
分類號(hào) H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 屈志軍;曾祥 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州裕陽(yáng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 應(yīng)圣義
地址 214131 江蘇省無(wú)錫市濱湖經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)高凱路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種低柵電容的絕緣柵雙極型晶體管，包括多晶柵極區(qū)poly、摻雜區(qū)、氧化層、金屬層METAL，多晶柵極區(qū)poly設(shè)于氧化層內(nèi)，其特征在于：所述的多晶柵極區(qū)poly分為第一區(qū)、第二區(qū)、所述的第一區(qū)設(shè)于第二區(qū)內(nèi)，通過環(huán)形槽隔開；所述的第一區(qū)與金屬層METAL間的氧化層設(shè)有開口，第一區(qū)與金屬層METAL通過引線孔連接。新結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)飽和電流下降約50%。