絕緣柵雙極型晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210573752.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102983160A 公開（公告）日 2013-03-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN102983160A 申請(qǐng)公布日 2013-03-20
分類號(hào) H01L29/739(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳天;楊曉鸞;季順黃;武洪建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州裕陽(yáng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無(wú)錫鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司
地址 214131 江蘇省無(wú)錫市濱湖經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)高凱路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種絕緣柵雙極型晶體管，所述絕緣柵雙極型晶體管集電極由外向內(nèi)依次設(shè)有金屬層、P+層、N+層，其特征在于：所述N+層朝向集電極的表面設(shè)有多個(gè)倒置平頂錐形凹槽，所述倒置平頂錐形凹槽內(nèi)表面設(shè)P+層，所述金屬層覆蓋于所述P+層及所述N+層上。通過(guò)由倒置平頂錐形陣列包圍集電極短路點(diǎn)的集電極面積擴(kuò)展效應(yīng)，提高了其背發(fā)射效率，極大的抑制了現(xiàn)有設(shè)計(jì)中引入N+型集電極短路點(diǎn)所導(dǎo)致的通態(tài)壓降的升高現(xiàn)象，避免了通態(tài)電阻的增加和焦耳熱的增多。