溝槽型半導(dǎo)體功率器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201220727199.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN203118953U 公開（公告）日 2013-08-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN203118953U 申請(qǐng)公布日 2013-08-07
分類號(hào) H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊曉鸞;陳天;武洪建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州裕陽專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司
地址 214131 江蘇省無錫市濱湖經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)高凱路8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及溝槽型半導(dǎo)體功率器件，其柵極導(dǎo)出版圖設(shè)計(jì)中包括柵極總線01、多晶硅溝槽03、溝槽側(cè)壁的柵極氧化物04、溝槽內(nèi)填充的多晶硅柵極05、多晶硅柵極末端06、溝槽多晶硅柵極連接末端12、柵極總線01表面的凸起13、元胞Active區(qū)14、第一終端保護(hù)環(huán)15。本實(shí)用新型多晶硅柵極導(dǎo)出方式有效地避免了溝槽型多晶硅柵極末端直接與柵極總線接觸，進(jìn)而可以顯著減小或消除溝槽型多晶硅柵極側(cè)壁的氧化物由于尖端存在而導(dǎo)致半導(dǎo)體功率器件的過早擊穿現(xiàn)象。