耐高壓絕緣柵雙極型晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210263025.1 申請日 -
公開（公告）號 CN102832239A 公開（公告）日 2012-12-19
申請公布號 CN102832239A 申請公布日 2012-12-19
分類號 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 屈志軍 申請（專利權(quán)）人 無錫鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州裕陽專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司
地址 214131 江蘇省無錫市濱湖經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)高凱路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及耐高壓絕緣柵雙極型晶體管、包括發(fā)射極（1）、柵極(2)、集電極(3),所述發(fā)射極（1）與集電極（3）間依次設(shè)第一P型半導(dǎo)體層（P）、N型半導(dǎo)體層、第二P型半導(dǎo)體層（4），所述N型半導(dǎo)體層包括漂浮區(qū)（N1）、緩沖區(qū)，其特征在于：所述的緩沖區(qū)從發(fā)射極（1）到集電極（3）方向依次設(shè)基底層（N2）、注入氫離子的緩沖層（6）、注入P離子、As離子中一種的緩沖層（5）。注入氫離子的緩沖層（6）作為場截止層，可以減小漂浮區(qū)（N1）的厚度，達(dá)到了減小IGBT的厚度的同時(shí)增強(qiáng)了IGBT的耐壓能力。