一種銅片氧化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110284530.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113215518A 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN113215518A 申請公布日 2021-08-06
分類號 C23C8/04（2006.01）I;C23C8/12（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 蔡俊;賀賢漢;馬敬偉;陸玉龍 申請（專利權(quán)）人 江蘇富樂德半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海申浩律師事務(wù)所 代理人 趙建敏
地址 224200江蘇省鹽城市東臺市城東新區(qū)鴻達路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種銅片氧化方法，將銅片與陶瓷層鍵合的一面形成特定厚度的氧化層，另一面不形成氧化層。其中，氧化爐內(nèi)設(shè)置有入口、加溫區(qū)、冷卻區(qū)以及出口，加溫區(qū)包括十個溫區(qū)，各區(qū)溫度設(shè)置如下：一區(qū)550℃、二區(qū)650℃、三區(qū)680℃、四區(qū)720℃、五區(qū)720℃、六區(qū)720℃、七區(qū)750℃、八區(qū)750℃、九區(qū)720℃、十區(qū)710℃；氧化爐頂部和底部的進氣口處均分別設(shè)置有氧氣進氣管和氮氣進氣管，氧氣的流量設(shè)定為38mL/min，氮氣的流量設(shè)定如下：入口25～35L/min；加溫區(qū)中一至三區(qū)頂部0L/min、四至六區(qū)頂部75～85L/min、八至十區(qū)頂部75～85L/min、一至十區(qū)底部0L/min；冷卻區(qū)25～35L/min；出口25～35L/min。